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1.
采用磁控溅射法在ITO玻璃上制备了CdZnTe薄膜,探究机械磨抛对CdZnTe薄膜阻变特性的影响。通过对XRD图谱、Raman光谱、AFM显微照片等实验结果分析阐明了机械磨抛影响CdZnTe薄膜阻变特性的物理机制。研究结果表明,磁控溅射制备的薄膜为闪锌矿结构,F43m空间群。机械磨抛提高了CdZnTe薄膜的结晶质量;CdZnTe薄膜粗糙度(Ra)由磨抛前的3.42 nm下降至磨抛后的1.73 nm;磨抛后CdZnTe薄膜透过率和162 cm-1处的类CdTe声子峰振动峰增强;CdZnTe薄膜的阻变开关比由磨抛前的1.2增加到磨抛后的4.9。机械磨抛提高CdZnTe薄膜质量及阻变特性的原因可能是CdZnTe薄膜在磨抛过程中发生了再结晶。 相似文献
2.
锡二硫族化合物可以通过改变硫和硒的含量来连续调控三元合金材料的带隙、载流子浓度等物理化学性质,在电子和光电子器件应用上具有巨大的潜力。本文采用化学气相沉积(CVD)技术可控地制备了不同元素组分的SnSxSe2-x(x=0,0.2,0.5,0.8,1.0,1.2,1.5,1.8,2.0)单晶纳米片。采用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、能量色散X射线光谱(EDS)、透射电子显微镜(TEM)以及拉曼光谱等手段对SnSxSe2-x纳米片进行了综合表征。结果表明本方法成功实现了元素百分比可调的SnSxSe2-x单晶纳米片的可控制备。重点研究了依赖于元素百分比的SnSxSe2-x的拉曼特征谱,实验结果与基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算得到的SnSxSe2-x的拉曼仿真谱高度吻合,理论计算结果较好地诠释了实验拉曼光谱发生变化的原因。本研究提供了一种元素百分比可调的三元SnSxSe2-x单晶纳米片的可控制备方法,同时对锡二硫族化合物的明确、无损识别提供了方案。 相似文献
4.
Zhi Sun Mengfan Zhao Lihua Zuo Shengnan Zhou Feng Fan Qingquan Jia Lianping Xue Hanbing Li Jian Kang Xiaojian Zhang 《Journal of separation science》2022,45(2):518-528
Juglandis Mandshuricae Cortex is the bark of Juglans mandshurica Maxim., which has been used as a folk medicine plant in China and India. In this study, an ultra-high performance liquid chromatography–quadrupole/orbitrap high-resolution mass spectrometry method was developed to clarify and quantify the chemical profiling of Juglandis Mandshuricae Cortex rapidly. A total of 113 compounds were characterized. Among them, seven flavonoids were simultaneously quantified in 15 min, including myricetin, myricetrin, taxifolin, kaempferol, quercetin, quercitrin, and naringenin. The method was validated for accuracy, precision, and the limits of detection and quantification. All calibration curves showed a good linear relationship (r > 0.9990) within test ranges. The intra- and inter-day relative standard deviations were less than 2.16%. Accuracy validation showed that the recovery was between 95.6 and 101.3% with relative standard deviation values below 2.85%. The validated method was successfully applied to determine the contents of seven flavones in Juglandis Mandshuricae Cortex from seven sources and the contents of these places were calculated respectively. This method provides a theoretical basis for further developing the medicinal value of Juglandis Mandshuricae Cortex. 相似文献
5.
Acta Mathematicae Applicatae Sinica, English Series - In this paper, we consider the statistical inferences in a partially linear model when the model error follows an autoregressive process. A... 相似文献
6.
Journal of Algebraic Combinatorics - Highly nonlinear functions (bent functions, perfect nonlinear functions, etc.) on finite fields and finite (abelian or nonabelian) groups have been studied in... 相似文献
7.
Mathematical Programming - Convergence analysis of accelerated first-order methods for convex optimization problems are developed from the point of view of ordinary differential equation solvers. A... 相似文献
8.
高中物理学习过程中,在学习运动的合成与分解时,教师和学生都会遇到一些经典的关联速度问题.学生解决此类问题时也常常出错,教师的讲解往往看似合理,实质还是有背逻辑思维.文章分析了关联速度中的经典例题:绳拉船的问题,并且指出了许多教师的解法存在的争议,还讨论了更合理的常规解法和适于中学生理解的方法.文章中的"关联速度问题的中学生解法"便于学生理解和解决此类问题. 相似文献
9.
Annals of Operations Research - The main purpose of this study was to explore the impact of peace dividends on global changes in national productivity. First, this study assessed changes in... 相似文献
10.
Recent success in strain engineering has triggered tremendous interest in its study and potential applications in nanodevice design. In this paper, we establish a coupled piezoelectric/semiconducting model for a wurtzite structure ZnO nanofiber under the local mechanical loading. The energy band structure tuned by the local mechanical loading and local length is calculated via an eight-band k·p method, which includes the coupling of valance and conduction bands. Poisson's effect on the distribution of electric potential inversely depends on the local mechanical loading. Numerical results reveal that both the applied local mechanical loading and the local length exhibit obvious tuning effects on the electric potential and energy band. The band gap at band edges varies linearly with the applied loading. Changing the local length shifts the energy band which is far away from the band edges. This study will be useful in the electronic and optical enhancement of semiconductor devices. 相似文献